Содержание
Работа предварительный усилитель с темброблоком
Принципиальная схема предусилителя показана на рисунке ниже:
Усилитель состоит из двух одинаковых каналов. Работу предварительного усилителя изучим на одном из них. Входной сигнал подается на разъем GP1 и поступает прямо на фильтр высоких частот, состоящий из конденсатора C1 (1 мкФ) и резистора R1 (100k) с частотой среза около 1,5 Гц, это позволяет эффективно срезать постоянную составляющую и самые низкие частоты.
Далее сигнал поступает на неинвертирующий усилитель U1 (NE5532) и резисторы R3 (10k) и R7 (4,7 k), что обеспечивает усиление сигнала в 1,5 раза. Небольшой конденсатор C3 (10 пФ) предотвращает возбуждение, в то время как C5 (1 мкФ) разделяет контуры на усилителях U1 и U2(NE5532).
Регулятор частот построен на усилителе U2, а сама регулировка частот построена классическим способом. Элементы, вносящие изменения в характеристики находятся в петле отрицательной обратной связи усилителя U2. Когда оба регуляторы находятся в центральном положении, сопротивление X1 (полученное из элементов: R9 (10k), C9 (33 нФ), C7 (4,7 нФ), а также: P1 (100k), P2 (100k), R11 (10k) и R12 (3,3 к) — «в среднем положении») между входным сигналом и инвертирующим входом усилителя U2 равно сопротивлению X2 (полученное из элементов: R15 (10к), C11 (33 нФ), C13 (4,7 нФ) и в середине также: P1, P2, R11 и R12 — » в среднем положении») между выходом усилителя U2 и инвертирующим вход. Коэффициент усиления А, выражается следующей зависимостью:
Он равен 1 для всего диапазона рабочих частот усилителя.
Потенциометр P1 отвечает за регулировку низких частот. Для высоких частот конденсаторы C9 и C11, являются короткозамкнутыми, так что регулировка с помощью потенциометра не оказывает никакого влияния на этих частотах. Потенциометр P2 отвечает за регулировку высоких частот, а из-за исключения конденсаторов С7 и C13 регулировка не оказывает никакого влияния на низкие частоты.
Hantek 2000 — осциллограф 3 в 1
Портативный USB осциллограф, 2 канала, 40 МГц….
Подробнее
Сигнал с выхода регулятора частоты поступает через резистор R17 (4,7 k) на потенциометр регулировки громкости P3 (100k) и далее к следующему контуру усиления, а именно U5 (NE5532). Элементы R19(15k) и R21 (33k) настраивают U5 для работы в качестве инвертирующего усилителя с коэффициентом усиления около 2. С выхода U5 сигнал через фильтр R23 (100Р), C21 (1 мкФ) и R25 (100k) попадает на выход предусилителя GP3.
Напряжение питания для операционных усилителей получают с помощью стабилизаторов U3 (78L15) и U4 (79L15), и фильтруется с помощью конденсаторов C15–C16 и C17–C18. Кроме того, питание каждого из четырех операционных усилителей сглаживается с помощью конденсаторов C19–C20 и C23- C26 (100 нФ).
Скачать рисунок печатной платы предварительного усилителя (unknown, скачано: 6 545)
Цоколевка
Как и большинство микросхем, ne5532 выпускается в стандартных пластиковых корпусах для дырочного или поверхностного монтажа на плату. Соответственно DIP или SO (SOIC). В большинстве случаев имеет восемь металлических выводов, но иногда встречаются и шестнадцатипиновые экземпляры. В последнем случае часть контактов не используется. Цоколевка представлена на рисунке.
Способы монтажа на плату можно определить по маркировке на микросхеме. У разных производителей она немного отличается. Например, у Texas Instruments устройства с суффиксом «D» предназначены для поверхностного монтажа, а с «P» для дырочного. On Semiconductor для обозначения DIP-корпуса использует символ «N».
Таким образом идентичные по характеристикам NE5532P от Texas Instruments и NE5532N (On Semiconductor) имеют одинаковые DIP-корпуса, но обозначаются по разному. Другие символы в маркировке, в большинстве случаев, уже никак не влияют на внешний вид, но все же подчёркивают отдельные технические характеристики микросхемы.
Технические характеристики
Согласно технических характеристик NE5532 является почти полностью биполярной, за исключением одного полевого транзистора в генераторе смещения. Сигнальный тракт включает два последовательных диффкаскада, каскада усиления по напряжению и двухтактного повторителя с защитой от перегрузки по току. Внутри так же есть четыре компенсационных конденсатора. Приведём значения предельно допустимых (максимальных) параметров .
Максимальные параметры
Максимальные значения параметров микросхемы NE5532:
- напряжение питания (VS) до ± 22 В;
- дифференциальное напряжение на входе (VDIFF) до ± 0,5 В;
- входной ток (IIN) до 10 мА;
- рабочая температура кристалла (TJ) до + 150 oC.
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) и тепловое сопротивление ограничены характеристиками корпуса, в котором размещена микросхема. Их значения можно рассчитать по методике приведённой в стандарте JESD 51-7.
Все приведённые величины напряжений относятся к средней точке (между Vcc+ и Vcc-), т.е. для двуполярного питания. Защитные диоды на входе микросхемы ограничивают входное диффнапряжение до 0,6 В. Максимальный ток не должен превышать 10 мА.
Рекомендуемые условия эксплуатации
Стабильная работа ne5532 на максимальных значениях параметров невозможна. Они приводится производителями в техническом описании лишь для отражения предельных возможностей микросхемы. Например, даже кратковременная работа кристалла при температуре +150 oC может привести к перегреву и выходу устройства из строя. Поэтому в даташит также приводятся рекомендуемые условия эксплуатации.
Рекомендуемое производителем напряжение питания составляет от ±5 до ±15 В. Рабочая температура не должна превышать (TJ) до + 70 oC. Ниже приведем основные электрические характеристики.
Аналоги
Полный аналог NE5532 найти не сложно, в настоящее время их достаточно много. Например, таковыми являются следующие микросхемы и их модификации: AD823, AD712, LM833, OP275, RC4558. Иногда в поисках замены радиолюбители стремятся улучшить качество звучания. В этих целях в качестве альтернативы можно рассмотреть более современные ОУ: AD826, LM6172, LT1364, LM4562, THS4061.
Отечественных аналогов у NE5532 не существует.
Параметры
| Parameters / Models | NE5532D | NE5532DG4 | NE5532DR | NE5532DRE4 | NE5532DRG4 | NE5532IP | NE5532P | NE5532PE4 | NE5532PSR | NE5532PSRE4 | NE5532PSRG4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Additional Features | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
| Approx. Price (US$) | 0.26 | 1ku | ||||||||||
| Архитектура | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar | Bipolar |
| CMRR(Min), дБ | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | |
| CMRR(Min)(dB) | 70 | ||||||||||
| CMRR(Typ), дБ | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
| CMRR(Typ)(dB) | 100 | ||||||||||
| GBW(Typ), МГц | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
| GBW(Typ)(MHz) | 10 | ||||||||||
| Input Bias Current(Max), pA | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | 800000 | |
| Input Bias Current(Max)(pA) | 800000 | ||||||||||
| Iq per channel(Max), мА | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | |
| Iq per channel(Max)(mA) | 8 | ||||||||||
| Iq per channel(Typ), мА | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | |
| Iq per channel(Typ)(mA) | 4 | ||||||||||
| Количество каналов | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| Number of Channels(#) | 2 | ||||||||||
| Рабочий диапазон температур, C | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | от 0 до 70 | |
| Operating Temperature Range(C) | 0 to 70 | ||||||||||
| Output Current(Typ), мА | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | 38 | |
| Output Current(Typ)(mA) | 38 | ||||||||||
| Package Group | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP | PDIP | PDIP | SO | SO | SO |
| Package Size: mm2:W x L, PKG | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) | See datasheet (PDIP) | 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) | 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) | 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) | |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) | See datasheet (PDIP) | ||||||||||
| Rail-to-Rail | No | No | No | No | No | No | No | No | No | No | No |
| Rating | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| Slew Rate(Typ), V/us | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | |
| Slew Rate(Typ)(V/us) | 9 | ||||||||||
| Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | |
| Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10) | 30 | ||||||||||
| Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
| Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10) | 10 | ||||||||||
| Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | |
| Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) | 5 | ||||||||||
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | |
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV) | 4 |
N5532 datasheet на русском
Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
Статистика
Усилитель на NE5532N + TDA2050.
Усилитель на NE5532N_TDA2050
Предлагаем вашему вниманию принципиальную схему стереофонического усилителя. Каскад предварительного усиления собран на микросхеме NE5532N, усилитель мощности реализован на микросхемах TDA2050. Мощность усилителя 2 х 32 Ватта. Принципиальная схема показана ниже:
Максимальные параметры TDA2050 взяты из datasheet:
Характеристики микросхемы TDA2050:
Исходники печатной платы усилителя на NE5532N и TDA2050:
Печатная плата усилителя на NE5532N и TDA2050 в формате LAY6 имеет следующий вид:
Фото-вид печатной платы усилителя:
Размеры печатной платы 66 х 108 мм, фольгированный стеклотекстолит – односторонний.
В блоке питания микросхемы предварительного усилителя применены интегральные стабилизаторы 7812 и 7912, вместо них можно поставить 7815 и 7915 соответственно.
В качестве выпрямителя применена диодная сборка типа KBL, ниже показан пример диодных сборок:
Фильтрующие емкости в блоке питания могут быть от 4700 до 10000 mF на напряжение не ниже 35 Вольт.
Регулятор громкости – спаренный потенциометр 47k/47k с логарифмической зависимостью.
На плате установлен светодиод – контроль наличия питающего напряжения.
Микросхемы TDA2050 крепятся к радиатору через прокладки или слюду с применением термопасты типа КПТ и изоляционных втулок.
• R1, R2 — 120k • R3, R4, R7 – 10k • R5, R6, R8, R9, R12, R13 – 22k • R10, R11 – 680R • R14, R15 – 2R2
• С1, С2 – 10mF/25V – лектролит • С3, С4 – 220p – керамика • С5, С6 – 22mF/25V (35V) – электролит • C7, С8 – 4700mF/35V – электролит • С9, С10, С17, С18 – 0,1mF (100n) • C11, С12 – 47mF/35V – электролит • С13, С14 – 100mF/35V – электролит • С15, С16 – 10mF/25V – электролит • C19, С20 – 0,22mF (220n)
• IC1 — NE5532N – операционный усилитель • IC2 – 7812 – интегральный стабилизатор 12 Вольт (или 7815 на 15 Вольт) • IC3 – 7912 – интегральный стабилизатор 12 Вольт (или 7915 на 15 Вольт) • IC4, IC5 – TDA2050 – усилитель мощности
• KBL02 – диодная сборка • LED1 – светодиод 5 мм
• Спаренный потенциометр 47 / 47 кОм с логарифмической зависимостью.
Трансформатор 12-0-12 или 18-0-18 на ток вторички порядка 3 Ампер.
Related Datasheets
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| SA5532 | NE5532x SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers (Rev. J) | Texas Instruments |
| SA5532 | Internally-compensated dual low noise operational amplifier | Philips |
| SA5532 | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier | ON Semiconductor |
| SA5532A | NE5532x SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers (Rev. J) | Texas Instruments |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| 6MBP200RA-060 |
Intelligent Power Module |
Fuji Electric |
| ADF41020 |
18 GHz Microwave PLL Synthesizer |
Analog Devices |
| AN-SY6280 |
Low Loss Power Distribution Switch |
Silergy |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| NE5532D | NE5532DG4 | NE5532DR | NE5532DRE4 | NE5532DRG4 | NE5532IP | NE5532P | NE5532PE4 | NE5532PSR | NE5532PSRE4 | NE5532PSRG4 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pin | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Package Type | D | D | D | D | D | P | P | P | PS | PS | PS |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | PDIP | PDIP | PDIP | SOP | SOP | SOP |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDIP-T | R-PDIP-T | R-PDIP-T | R-PDSO-G | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 75 | 75 | 2500 | 2500 | 2500 | 50 | 50 | 2000 | 2000 | 2000 | |
| Carrier | TUBE | TUBE | LARGE T&R | LARGE T&R | LARGE T&R | TUBE | TUBE | LARGE T&R | LARGE T&R | LARGE T&R | |
| Маркировка | N5532 | N5532 | N5532 | N5532 | N5532 | NE5532P | NE5532P | N5532 | N5532 | N5532 | |
| Width (мм) | 3.91 | 3.91 | 3.91 | 3.91 | 3.91 | 6.35 | 6.35 | 6.35 | 5.3 | 5.3 | 5.3 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 | 4.9 | 4.9 | 4.9 | 9.81 | 9.81 | 9.81 | 6.2 | 6.2 | 6.2 |
| Thickness (мм) | 1.58 | 1.58 | 1.58 | 1.58 | 1.58 | 3.9 | 3.9 | 3.9 | 1.95 | 1.95 | 1.95 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 1.27 | 2.54 | 2.54 | 2.54 | 1.27 | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 | 1.75 | 1.75 | 1.75 | 1.75 | 5.08 | 5.08 | 5.08 | 2 | 2 | 2 |
| Mechanical Data |
Datasheets
NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers datasheet
PDF, 922 Кб, Версия: J, Файл опубликован: 27 янв 2015
Выписка из документа
ProductFolder Sample &Buy Support &Community Tools &Software TechnicalDocuments NE5532, NE5532A, SA5532, SA5532ASLOS075J – NOVEMBER 1979 – REVISED JANUARY 2015 NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers1 Features 3 Description The NE5532, NE5532A, SA5532, and SA5532Adevices are high-performance operational amplifierscombining excellent DC and AC characteristics. Theyfeature very low noise, high output-drive capability,highunity-gainandmaximum-output-swingbandwidths, low distortion, high slew rate, inputprotection diodes, and output short-circuit protection.These operational amplifiers are compensatedinternally for unity-gain operation. These deviceshave specified maximum limits for equivalent inputnoise voltage. 1 Equivalent Input Noise Voltage:5 nV/в€љHz Typ at 1 kHzUnity-Gain Bandwidth: 10 MHz TypCommon-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ …
Похожие записи:
Жидкий пластик для заливки в формы (двухкомпонентный)
Зимостойкие, классические и новые сорта метельчатой гортензии с фото
Выбираем защиту передней звезды велосипеда: рокринг, башгард, башплейт, башринг. что выбрать?
Делаем маску человека-паука из бумаги и ткани. как сделать маску человека паука из бумаги своими руками поэтапно
Лето в большом городе: все бассейны Москвы под открытым небом
Виды крыш для частного дома