Характеристики микросхемы ne5532

Содержание

Цоколевка

Как и большинство микросхем, ne5532 выпускается в стандартных пластиковых корпусах для дырочного или поверхностного монтажа на плату. Соответственно DIP или SO (SOIC). В большинстве случаев имеет восемь металлических выводов, но иногда встречаются и шестнадцатипиновые экземпляры. В последнем случае часть контактов не используется. Цоколевка представлена на рисунке.

Способы монтажа на плату можно определить по маркировке на микросхеме. У разных производителей она немного отличается. Например, у Texas Instruments устройства с суффиксом «D» предназначены для поверхностного монтажа, а с «P» для дырочного. On Semiconductor для обозначения DIP-корпуса использует символ «N».

Таким образом идентичные по характеристикам NE5532P от Texas Instruments и NE5532N (On Semiconductor) имеют одинаковые DIP-корпуса, но обозначаются по разному. Другие символы в маркировке, в большинстве случаев, уже никак не влияют на внешний вид, но все же подчёркивают отдельные технические характеристики микросхемы.

N5532 datasheet на русском

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

Статистика

Усилитель на NE5532N + TDA2050.

Усилитель на NE5532N_TDA2050

Предлагаем вашему вниманию принципиальную схему стереофонического усилителя. Каскад предварительного усиления собран на микросхеме NE5532N, усилитель мощности реализован на микросхемах TDA2050. Мощность усилителя 2 х 32 Ватта. Принципиальная схема показана ниже:

Максимальные параметры TDA2050 взяты из datasheet:

Характеристики микросхемы TDA2050:

Исходники печатной платы усилителя на NE5532N и TDA2050:

Печатная плата усилителя на NE5532N и TDA2050 в формате LAY6 имеет следующий вид:

Фото-вид печатной платы усилителя:

Размеры печатной платы 66 х 108 мм, фольгированный стеклотекстолит – односторонний.

В блоке питания микросхемы предварительного усилителя применены интегральные стабилизаторы 7812 и 7912, вместо них можно поставить 7815 и 7915 соответственно.

В качестве выпрямителя применена диодная сборка типа KBL, ниже показан пример диодных сборок:

Фильтрующие емкости в блоке питания могут быть от 4700 до 10000 mF на напряжение не ниже 35 Вольт.

Регулятор громкости – спаренный потенциометр 47k/47k с логарифмической зависимостью.

На плате установлен светодиод – контроль наличия питающего напряжения.

Микросхемы TDA2050 крепятся к радиатору через прокладки или слюду с применением термопасты типа КПТ и изоляционных втулок.

• R1, R2 — 120k • R3, R4, R7 – 10k • R5, R6, R8, R9, R12, R13 – 22k • R10, R11 – 680R • R14, R15 – 2R2

• С1, С2 – 10mF/25V – лектролит • С3, С4 – 220p – керамика • С5, С6 – 22mF/25V (35V) – электролит • C7, С8 – 4700mF/35V – электролит • С9, С10, С17, С18 – 0,1mF (100n) • C11, С12 – 47mF/35V – электролит • С13, С14 – 100mF/35V – электролит • С15, С16 – 10mF/25V – электролит • C19, С20 – 0,22mF (220n)

• IC1 — NE5532N – операционный усилитель • IC2 – 7812 – интегральный стабилизатор 12 Вольт (или 7815 на 15 Вольт) • IC3 – 7912 – интегральный стабилизатор 12 Вольт (или 7915 на 15 Вольт) • IC4, IC5 – TDA2050 – усилитель мощности

• KBL02 – диодная сборка • LED1 – светодиод 5 мм

• Спаренный потенциометр 47 / 47 кОм с логарифмической зависимостью.

Трансформатор 12-0-12 или 18-0-18 на ток вторички порядка 3 Ампер.

Технические характеристики

Согласно технических характеристик NE5532 является почти полностью биполярной, за исключением одного полевого транзистора в генераторе смещения. Сигнальный тракт включает два последовательных диффкаскада, каскада усиления по напряжению и двухтактного повторителя с защитой от перегрузки по току. Внутри так же есть четыре компенсационных конденсатора. Приведём значения предельно допустимых (максимальных) параметров .

Максимальные параметры

Максимальные значения параметров микросхемы NE5532:

  • напряжение питания (VS) до ± 22 В;
  • дифференциальное напряжение на входе (VDIFF) до ± 0,5 В;
  • входной ток (IIN) до 10 мА;
  • рабочая температура кристалла (TJ) до + 150 oC.

Максимальная рассеиваемая мощность (PD) и тепловое сопротивление ограничены характеристиками корпуса, в котором размещена микросхема. Их значения можно рассчитать по методике приведённой в стандарте JESD 51-7.

Все приведённые величины напряжений относятся к средней точке (между Vcc+ и Vcc-), т.е. для двуполярного питания. Защитные диоды на входе микросхемы ограничивают входное диффнапряжение до 0,6 В. Максимальный ток не должен превышать 10 мА.

Рекомендуемые условия эксплуатации

Стабильная работа ne5532 на максимальных значениях параметров невозможна. Они приводится производителями в техническом описании лишь для отражения предельных возможностей микросхемы. Например, даже кратковременная работа кристалла при температуре +150 oC может привести к перегреву и выходу устройства из строя. Поэтому в даташит также приводятся рекомендуемые условия эксплуатации.

Рекомендуемое производителем напряжение питания составляет от ±5 до ±15 В. Рабочая температура не должна превышать (TJ) до + 70 oC. Ниже приведем основные электрические характеристики.

Аналоги

Полный аналог NE5532 найти не сложно, в настоящее время их достаточно много. Например, таковыми являются следующие микросхемы и их модификации: AD823, AD712, LM833, OP275, RC4558. Иногда в поисках замены радиолюбители стремятся улучшить качество звучания. В этих целях в качестве альтернативы можно рассмотреть более современные ОУ: AD826, LM6172, LT1364, LM4562, THS4061.

Отечественных аналогов у NE5532 не существует.

Похожие записи:

Пора забыть про мозоли на руках: автоматический пистолет для герметика Как своими руками смастерить удобный стеллаж для столярного инструмента Какие бывают насадки для многофункционального инструмента Моделирование кораблей из дерева своими руками чертежи Как правильно пользоваться стуслом Вяжем крючком черепах